紅外探測器在通訊 、熱成像以及傳感方麵具有廣泛的應用 。實用化的紅外探測器除HgCdTe 、InSd等本證結構紅外探測器外 ，還采用矽和矽化物的肖特基勢壘光電探測器 ，由於使用厚的金屬電極 ，使得響應率低 ，導致其發展受到一定限製 。
納米材料製作的紅外光電探測器由於具有高的光響應率 ，因此近年來基於量子阱 、量子點 、石墨烯 、有機半導體的紅外探測器被大量報道 。
作為紅外探測器的一種重要的半導體材料 ，PbS量子點的響應率達到2700A/W ，可以與單晶矽製作器件的響應性相比快 。由於半導體光電探測器的響應性與其載流子遷移率成正比 ，但是量子點的遷移率遠低於石墨烯的遷移率。
因此 ，使得量子點紅外探測器的發展受到一定限製 。
通過在高結晶性的化學氣相沉積法製備的石墨烯表麵 ，利用高度有序的超博氧化鋁模板製備技術結合 ，有望構建高性能的石墨烯基紅外光電探測器 。