紅外探測器以軍用為中心正在迅速發展 ，其應用範圍涉及偵察/監視 、射擊控製和製導等 ，前景十分廣闊 。但是 ，它的發展水平取決於相關技術的水平 ，包括製造探測器的半導體技術及真空容器技術和冷卻探測器的極低溫技術 。
熱型探測器的主流是熱電探測器 ，為提高性能 ，必須開發薄膜製備技術 。而雙色探測器需要考慮的問題是寬帶紅外膜層的製備 、透雙色紅外材料選擇及器件表麵紅外鍍膜等 。如果與紫外波段綜合使用 ，除紫外探測器製備之外 ，這也是要解決的問題 。
在超導紅外探測器的製備上 ，超導薄膜和絕緣層的製備都存在一定的困難 。另外 ，GaAs探測器與HgCdTe探測器一樣 ，必須冷卻到77K才能工作 ，需用液氮冷卻 。GaAs與單一的矽元素不同 ，子啊結晶過程中內部容易產生缺陷 ，給集成電路的高集成化帶來困難 ，這有待於進一步研究克服 。