鉑上一氧化碳氧化中的關閉濃度現象和鉑薄膜的電阻或表麵電位的平行陡峭變化被用於開發碳檢測器 。
在鉑膜上塗上越來越厚的聚四氟乙烯 (PTFE) 會使這個關斷點移向增加 CO 濃度 。
因此 ,由校準厚度的 PTFE 覆蓋的一係列電氣元件 、鉑薄膜電阻 、鉑 MOS 二極管或鉑柵極 MOS 晶體管將在確定的 CO 濃度下關閉 ,並且可以繼續作為數字檢測器的基礎 。
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在鉑膜上塗上越來越厚的聚四氟乙烯 (PTFE) 會使這個關斷點移向增加 CO 濃度 。
因此 ,由校準厚度的 PTFE 覆蓋的一係列電氣元件 、鉑薄膜電阻 、鉑 MOS 二極管或鉑柵極 MOS 晶體管將在確定的 CO 濃度下關閉 ,並且可以繼續作為數字檢測器的基礎 。