紅外探測器材料是發展紅外探測器以至熱成像技術的基礎，它和紅外探測器的發展相輔相成 。
雖然早在19世紀就有了紅外探測器 ，而且在第一次世界大戰期間Ti2S紅外探測器已用於軍事目的 ，但隻是到了第二次世界大戰期間有了PbS探測器以後 ，紅外探測器技術才受到了人們廣泛的重視並得到了迅速的發展 。
新的探測器材料不斷被研製出來 ，探測器的響應波段很快就複蓋了1—3μm ，3—5μm和8—12μm三個大氣窗口 ，與此同時 ，紅外探測器材料質量的不斷改善使探測器的性能也不斷得到提高 ，有的達到了背景限 ，促進了紅外技術的全麵發展 。
眾多的紅外探測器材料，大體上可分為半導體光電探測器材料和熱敏探測器材料 ，包括熱釋電材料和熱敏電阻材料 ，在這些材料的發展中 ，值得提出的是 ：
1 、1958年發明的HgTe和CdTe的混品 ，它不僅把這類探測器材料的研究推進到了一個更加強勁的發展階段 ，也成為熱成像技術的發展尊定了緊實的基礎 。
2 、50年代中期 ，研製成功TGS晶體以後 ，使製造工藝相對簡單 ，成本低廉的熱釋電探測器得到了大的提高和發展 ，大大促進了紅外技術在民用市場的開發 。
3 、80年代中期 ，高溫（＞77K）超導材料的出現 ，使高溫超導探測器的研製成為一個新的熱點 ，也使這種幾乎不受工作波段限製的紅外探測器的大量開發和使用成為現實 。